一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险凯发一触即发，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。
五、 公司负责人陈鲁、主管会计工作负责人周凡女及会计机构负责人（会计主管人员）周凡女声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
在中国境内发行及在中国境内证券交易所上市并以人民币 标明股票面值及以人民币认购和交易的普通股股票
海南博林京融创业投资有限公司，曾用名深圳市前海博林股 权投资基金有限公司
宁波丹广盛深创业投资合伙企业（有限合伙），曾用名宁波 丹盛企业管理咨询合伙企业（有限合伙）、杭州丹广盛深企 业管理咨询合伙企业（有限合伙）、宁波丹广盛深企业管理 咨询合伙企业（有限合伙）
深圳力合融通创业投资有限公司，曾用名深圳力合融通投资 有限公司、深圳力合融通投资股份有限公司
共青城力合汇盈创业投资管理合伙企业（有限合伙），曾用 名共青城力合汇盈投资管理合伙企业（有限合伙）
国外知名集成电路和泛半导体领域的研究顾问公司，针对半 导体产业链提供技术、商业和经济方面市场调研和经济分析
《深圳中科飞测科技股份有限公司首次公开发行股票并在 科创板上市招股说明书》
Integrated Circuit，即集成电路，是采用一定的工艺，将一个 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在 一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然 后封装在一个外壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，又称 Wafer、圆片， 在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构，成为有特定电性 功能的集成电路产品。按其直径主要分为 6英寸、8英寸、 12英寸等规格
芯片制造分为前道工艺和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、 清洗、抛光、离子注入等；后道主要是互连、打线、密封、 测试等
前道工艺结束后，后道封装测试前的重布线结构（RDL）、 凸点（Bump/Pillar）与硅通孔（TSV）等先进封装工艺环节
把晶圆上的集成电路，用导线及各种连接方式，加工成含外 壳和管脚的可使用的芯片成品，起着安放、固定、密封、保 护芯片和增强电热性能的作用
处于前沿的封装形式和技术，例如 2.5D及 3D封装、晶圆级 封装、系统级封装和倒装芯片封装等
加工精度在 0.1-10微米、表面粗糙度（Ra值）在 0.3-0.8微 米的加工
在晶圆表面上或电路结构中，检测其是否出现异质情况，如 颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影
对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出的量化 描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等物理 性参数的量测
一种电性、功能性的检测，对已制造完成的半导体元件进行 性能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求
High Bandwidth Memory，一款新型的 CPU/GPU内存芯片
泛指在集成电路制造过程中的“晶体管栅极宽度的尺寸”， 尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上， 可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用 更小的空间，主要节点如 90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、 7nm、5nm等
集成电路生产工艺可达到的最小沟道长度，其变化是半导体 制造工艺先进水平的重要指标
设备单位时间内完成检测的晶圆数量(wph，wafer per hour， 每小时检测晶圆数量)，一种衡量检测速度和设备产率的指 标
Chemical Mechanical Polishing，集成电路制造过程中实现晶 圆全局均匀平坦化的关键工艺
注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。
报告期内，归属于上市公司股东的净利润为-6,801.47万元，同比下降 11,395.38万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-11,513.40万元，同比下降 11,748.74万元，主要系：（1）公司作为国内高端半导体质量控制设备行业领军企业，为了加快打破国外企业在国内市场的垄断局面，报告期内进一步加大新产品及现有产品向更前沿工艺的迭代升级等方面的研发投入，报告期内发生研发费用 20,714.23万元，较上年同期增加 11,044.68万元，同比增长 114.22%；（2）为进一步促进公司核心人才队伍的建设和稳定，公司制定并实施了《2024年限制性股票激励计划》，报告期内新增股份支付费用 2,851.70万元。
报告期内，经营活动产生的现金流量净额为-9,499.54万元，同比下降 14,687.02万元，主要系为了满足快速增长的订单交付及研发投入加大等方面需求，对各类型人员和原材料需求同步增加。
公司报告期内购买商品、接受劳务支付的现金同比增长 110.29%，增幅大于销售商品、提供劳务收到的现金，导致公司经营活动产生的现金流量净额减少。
报告期内，公司基本每股收益-0.21元，稀释每股收益-0.21元，扣除非经常性损益后的基本每股收益-0.36元，加权平均净资产收益率-2.84%，扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率-4.81%，主要原因系上述研发投入大幅增长及股份支付费用增加等综合因素影响所致。
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密 切相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、 对公司损益产生持续影响的政府补助除外
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外， 非金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值 变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认 定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一) 公司所属行业情况 半导体设备行业作为支撑半导体产业发展的上业之一，其市场发展与半导体产业景气度 紧密相关。根据 SEMI数据统计，2023年全球半导体设备销售额为 1,062.5亿美元，受国际经济 变动和行业周期性等方面影响同比下降 1.3%，但推动半导体设备需求的全球半导体产业产能扩张 仍在继续。根据 SEMI数据统计，全球半导体每月晶圆（WPM）产能在 2023年增长 5.5%至 2,960 万片（以 200mm当量计算）后，预计 2024年将继续增长 6.4%。
在经历了美国至日本，日本至韩国和中国台湾的两次产业转移后，目前全球半导体产业正向中国大陆加速转移，中国成为全球最大的集成电路生产和消费国。根据 SEMI数据统计，2023年中国大陆晶圆产能同比增长 12%，中国大陆晶圆厂的产能增速居全球之首。受益于国内晶圆厂的产能持续扩张，中国大陆的半导体设备行业正处于快速发展期，根据 SEMI数据统计，2023年度中国大陆地区半导体设备销售额达到 366.6亿美元，同比增长 29.7%，自 2020年以来连续四年成为全球第一大半导体设备市场。
半导体质量控制贯穿集成电路制造的关键环节，对芯片生产的良品率的影响至关重要。根据 VLSI数据统计，2023年全球半导体检测和量测设备市场规模达到 128.3亿美元，在全球半导体制 造设备占比中半导体检测和量测设备占比约为 13%，仅次于刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻设备。 随着制程越来越先进、工艺环节不断增加，行业发展对工艺控制水平提出了更高的要求，制造过 程中检测设备与量测设备的技术要求及需求量持续提升。 近年来，得益于中国半导体全行业的蓬勃发展和国家近年来对半导体产业持续的政策扶持， 行业下游晶圆厂在关键工艺节点上持续推进，多家国内领先的半导体制造企业进入产能扩张期， 中国大陆半导体检测与量测设备的市场处于高速发展期。根据 VLSI数据统计，2023年中国大陆 半导体检测与量测设备市场规模达到 43.60亿美元，2019年至 2023年的年均复合增长率为 26.61%。 另一方面，目前全球半导体设备市场仍处于寡头垄断局面，以应用材料、阿斯麦、拉姆研究、东京电子、科磊半导体等为代表的国际知名半导体设备企业占据了全球市场的主要份额。近年来，由于全球供应链的紧张和国际贸易摩擦，国内半导体行业越来越意识到半导体设备国产化的重要性凯发一触即发，产业链上下游的协同发展更加紧密。凭借区位、定制化服务以及供应稳定性等优势，未来国(二) 主营业务情况
报告期内，中科飞测专注于高端半导体质量控制领域，为半导体行业客户提供涵盖设备产品、智能软件产品和相关服务的全流程良率管理解决方案。
在设备产品方面，公司通过在光学检测技术、大数据检测算法和自动化软件领域的自主研发和不断创新，在多项半导体质量控制设备关键核心技术上达到国际领先水平，形成了集成电路制造过程中所有关键工艺环节所需的主要种类设备产品组合，使得公司能够为不同类型的集成电路客户提供全面覆盖的检测和量测设备供应保障，支持客户的量产工艺需求和未来工艺研发需求； 在智能软件产品方面，公司将人工智能和大数据技术应用到半导体质量控制数据上凯发一触即发，形成了一系列提升高端半导体制造良率的软件产品，这些软件产品能够在检测和量测设备的基础上进一步为客户在良率管理中赋能，形成完整的质量控制设备和智能软件相结合的良率管理闭环，为客户实现最大化的质量控制对良率管理的提升效果。
受益于公司在设备和软件产品组合上的完整战略布局凯发一触即发，以及在核心技术上的持续研发突破、在产品迭代升级上的快速推进，在客户服务上的全面覆盖和品牌口碑上的快速提升等方面的综合推动下，公司得以紧跟客户的工艺发展需求，为不同类型的集成电路客户提供不同的产品组合和服务。公司客户群体已广泛覆盖逻辑、存储、功率半导体、MEMS等前道制程企业，碳化硅、氮化镓、砷化镓等化合物半导体企业，晶圆级封装和 2.5D/3D封装等先进封装企业，大硅片等半导体材料企业以及刻蚀设备、薄膜沉积设备、CMP设备等各类制程设备企业。公司为上述客户提供的产品组合包括了全部种类的光学检测和量测设备以及软件。
下图中纵向为中科飞测所布局的设备和软件产品种类及该种类设备的市场空间占比，横向为不同类型的集成电路客户：
：具备批量销售的技术能力，且全面覆盖国内主流客户并实现批量量产及应用 公司九大系列设备和三大系列软件产品组合构成了全方位的良率管理解决方案。
九大系列设备面向全部种类集成电路客户需求，其中六大系列设备已经在国内头部客户批量量产应用，技术指标全面满足国内主流客户工艺需求，公司各系列产品市占率稳步快速增长；另外三大系列设备均已完成样机研发，并出货客户开展产线工艺验证和应用开发。
公司开发的三大系列智能软件已全部应用在国内头部客户，并不断提高在不同应用领域的覆盖度，结合质量控制设备产品组合，使得客户能够准确测量并且集中管理和分析芯片制造过程中产生的所有检测、量测、电性测试等良率相关数据，有效地提升半导体制造良率和产品性能。
报告期内，公司专注于高端半导体质量控制领域，主要产品涵盖设备产品、智能软件产品和相关服务的全流程良率管理解决方案。
公司检测设备的主要功能系检测晶圆表面或电路结构中是否出现异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷，具体情况如下：
主要应用于硅片的出厂品质管控、晶圆的入厂质 量控制、半导体制程工艺和设备的污染监控。该系 列的设备能够实现无图形晶圆表面的缺陷计数， 识别缺陷的类型和空间分布。
主要应用于晶圆表面亚微米量级的二维、三维图 形缺陷检测，能够实现在图形电路上的全类型缺 陷检测。拥有多模式明/暗照明系统、多种放大倍 率镜头，适应不同检测精度需求，能够实现高速自 动对焦，可适用于面型变化较大翘曲晶圆。
主要应用于晶圆表面多种节点的图形晶圆的明场 缺陷检测，拥有多模式照明系统、成像系统，多种 放大倍率切换，适应不同检测精度和速度需求，能 够实现高速自动对焦，可适用于不同类型晶圆。
主要应用于复杂图形晶圆表面纳米量级缺陷检 测，采用深紫外激光暗场扫描与成像探测技术，实 现复杂图形晶圆表面缺陷的快速检测与分类功 能。
公司量测设备的主要功能系对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出量化描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌、套刻精度等物理性参数的量测。在精密加工领域，量测设备主要功能是精密结构件的三维尺寸量测，具体情况如下：
主要应用于晶圆上纳米级三维形貌测量、线宽测量 和 TSV孔测量，配合图形晶圆智能化特征识别和流 程控制、晶圆传片和数据通讯等自动化平台凯发一触即发。
主要应用于晶圆上纳米级单/多层薄膜、光刻胶等厚 度测量，采用椭圆偏振技术和光谱反射技术实现高 精度薄膜膜厚、n-k值的快速测量。
主要应用于晶圆上金属膜厚度和硬掩膜层厚度测 量，采用飞秒超声和差分技术，实现高精度膜厚、声 速和泊松比的快速测量。
主要应用于电路制作中不同层之间图案对图案对齐 的误差测量，并将数据反馈给光刻机，帮助光刻机优 化不同层之间的光刻图案对齐误差，从而避免工艺 中可能出现的问题。
主要对集成电路前道制程中的扩散、薄膜沉积、研 磨、刻蚀、光刻等工艺中的关键尺寸进行高精度和高 速度的测量
主要应用于 3D曲面玻璃等构件的轮廓、弧高、厚 度、尺寸测量，采用光谱共焦技术，实现高精度、高 速度的非接触式测量。搭载可配置的全自动测量软 件工具和完整的测试及结果分析界面。
公司将人工智能和大数据技术应用到半导体质量控制数据上，形成了一系列提升高端半导体制造良率的软件产品，这些软件产品能够在检测和量测设备的基础上进一步为客户在良率管理中赋能，形成完整的质量控制设备和智能软件相结合的良率管理闭环，为客户实现最大化的质量控制对良率管理的提升效果，具体情况如下：
通过综合运用统计分析和人工智能技术，以及可以 根据客户需求定制化的软件工作流，为客户提供包 括全维度数据管理、缺陷分类和统计分析、智能根因 分析、虚拟量测、交叉分析和良率预测等在内的良率 管理功能
通过对接客户产线上的所有缺陷检测设备，将设备 获取到的缺陷数据按照缺陷的尺寸、形态、位置、聚 类情况、整体分布特征等进行自动分类，并且能够追 踪和统计缺陷的发生频率和条件，帮助在缺陷层面 管理和控制良率
实现对光刻机、套刻精度量测设备、晶圆翘曲量测设 备、电子束关键量测设备等多种类、多品牌机型的数 据进行整合分析和建模，帮助客户及时监控和优化 光刻工艺的偏差，同时通过高阶模型补偿等功能来 实现对光刻机光刻套刻偏移量的准确控制，有效地 提升光刻机光刻工艺的良率水平
自成立至今，公司始终坚持自主研发和自主创新原则，持续提升技术创新与产品创新能力，未来将继续深耕集成电路领域，以行业前沿技术与市场需求为导向，不断丰富产品种类及拓宽产品市场覆盖广度和深度。随着公司业务不断扩大，公司产品种类持续增加。
公司始终坚持自主研发、自主创新的研发模式，已逐步构建起了一套集研发、生产、销售于一体的创新机制。公司研发以设备研发和相关研发测试平台为载体，协同推进公司高端半导体质量控制设备的研发及产业化进程。
公司设备研发项目流程可以大致分为四个阶段，概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段和量产阶段。
研发测试平台是指除设备研发项目外开展的其他研发活动，主要包括前瞻性技术研发、设备优化研发及关键模块研发等。
公司主要根据生产计划、物料清单和零部件的库存情况确定零部件的采购计划，并按照采购计划进行采购。
公司的采购流程如下：①设备生产阶段所需物料由制造中心根据生产需求制定物料清单，提交至物控部审核；②物控部结合物料清单以及零部件的库存确定物料采购清单，并提交至采购部执行，采购部负责与供应商接洽、确定采购合同细节；③原材料交付后，针对不同类型的原材料，由品质部门负责原材料的质量检测；④入库完成采购。
公司市场部负责市场研判并接收客户需求，市场部根据客户需求内部立项后，由总经理审批，审批通过后由物控部安排采购计划并由采购部执行采购。制造中心根据物料到达时间、订单交付时间等制定生产计划和安排生产。制造中心对装配调试后的成品进行检验，检验合格后成品入库。
报告期内，公司将少量辅助性的设备配件组装、加工或清洗业务通过外协加工完成。
公司主要产品为检测和量测设备，公司产品和服务主要以直销模式进行，即由公司直接将产品销售给客户。公司市场部负责市场开发、产品的销售，同时，由客户服务部负责公司产品客户支持工作。
报告期内，公司获取订单的方式主要包括与潜在客户商务谈判、招投标和委托代理商推广。
公司是一家专注于高端半导体质量控制领域的高新技术企业，为半导体行业客户提供涵盖设备产品、智能软件产品和相关服务的全流程良率管理解决方案，在业内处于国内领先地位，与国外垄断厂商形成了直接竞争格局。凭借优秀的技术研发团队、较强的技术创新能力以及多年在半导体检测和量测领域的开发经验，公司在光学检测技术上形成了深厚的积累，积累了多家集成电路前道制程及先进封装知名客户。
公司主要核心技术来源于自主研发，相关技术在产品应用过程中不断升级和积累。公司核心技术权属清晰，不存在技术侵权纠纷或潜在纠纷。报告期内公司核心技术未发生重大变化 国家科学技术奖项获奖情况
公司始终专注于半导体质量控制设备的研发，拥有多项自主知识产权和核心技术。
报告期内研发投入 20,714.23万元，同比增长 114.22%，研发投入占营业收入比例 44.66%，较上年同期增加 18.20个百分点，主要系公司作为国内高端半导体质量控制设备行业领军企业，为了加快打破国外企业在国内市场的垄断局面，报告期内，公司进一步加大新产品及现有产品向更前沿工艺的迭代升级等方面的研发投入，研发人员数量、研发材料费用及股份支付费用均有较大幅度的增加。
研发采用深紫外宽光谱光源的检测设备，实 现对集成电路有图形晶圆上的纳米尺度缺陷 进行检测和识别
研发采用激光光源照明结合高精度成像系 统，实现集成电路图层结构中快速缺陷检测 和定位的缺陷检测设备
研发面向先进逻辑和存储制程的新一代无图 形晶圆缺陷检测设备，灵敏度和产率等关键 指标持续提升，实现晶圆表面缺陷尺度、类型 及位置的更准确检测与分类
研发具备光谱反射高速测量和光谱椭偏高精 度测量两种模块集合于一体的晶圆介质薄膜 量测设备，满足半导体工艺中对晶圆表面复 杂膜厚、折射率、消光系数等物理性质的量 测需求
研发能够实现在极复杂的集成电路纳米图层 结构中快速检测和定位纳米量级缺陷的检测 设备
研发光学精密套刻测量关键技术和设备，实 现先进节点更高精度纳米尺度层间套刻对准 误差的准确测量
研发采用深紫外宽光谱光源的检测设备，实 现对集成电路有图形晶圆上的纳米尺度缺陷 更高速地进行检测和识别
开发能够全面覆盖半导体先进工艺中的各种 无图形晶圆缺陷的检测设备，实现实时识别 晶圆表面缺陷、判别缺陷的种类，并报告缺陷 的位置
研发采用宽光谱光源照明结合高精度成像系 统，实现集成电路图层结构中快速缺陷检测 和定位的缺陷检测设备
研发光学精密套刻测量关键技术和设备，实 现纳米尺度层间套刻对准误差的准确测量
研发采用明暗场同步扫描技术，实现百纳米 尺度超高速缺陷检测及缺陷分类，满足 HBM 工艺及第三代半导体工艺等量产产线检测需 求
研发采用光学干涉测试技术实现纳米级、高 速高吞吐量的晶圆三维形貌量测设备
研发采用高能电子枪、低像差物镜结合高信 噪比探测系统，实现集成电路关键尺寸的量 测功能
注：研发项目预计总投资规模可能会因项目开展的具体研发情况进行调整。（未完）离子刻蚀凯发一触即发康复工程有源换能器海图灯
